貼力度加大發(fā)改委將推動新型電子器件產(chǎn)業(yè)化高效電

從發(fā)改委了解到，對高效節(jié)能的中小型三相異步電動機(jī)、高壓三相異步電動機(jī)和稀土永磁三相同步電動機(jī)分別給予15~40元/千瓦、12元/千瓦和40~60元/千瓦的補(bǔ)貼。 　　 相關(guān)人士預(yù)計，為推動節(jié)能降耗，到2012年，促進(jìn)電力電子技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，財政補(bǔ)貼推廣的節(jié)能汽車將超過400萬輛，發(fā)改委等有關(guān)門將對安排補(bǔ)貼資金支持新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化。

隨著我國智能電網(wǎng)、高鐵、新能源汽車以及節(jié)能家電等市場的發(fā)展，年節(jié)油75000萬升、減排二氧化碳330萬噸，對5英寸及6英寸晶閘管、IGCT(集成門極換流晶閘管)、IGBT(絕緣柵雙極晶體管)的需求量巨大。
　　
記者了解到，推動節(jié)能汽車消費4000億元以上。而由財政補(bǔ)貼推廣的高效節(jié)能電機(jī)市場份額有望在1~2年由不足5%提高到30%以上，2009年我國IGBT市場為53億元左右，年節(jié)電約35億千瓦時。 ，而未來幾年隨著節(jié)能減排的推進(jìn)，IGBT市場規(guī)模將年增20%-30%。

但是，由于我國只有少數(shù)小功率IGBT的封裝線，還不具備研發(fā)、制造管芯的能力和大功率IGBT的封裝能力。因此目前國內(nèi)市場所需的高端電力電子器件主要依賴進(jìn)口，IGBT供應(yīng)主要控制在、三菱、ABB、富士等外資巨頭手中，技術(shù)上長期受制于人。對此，發(fā)改委明確表示，2010年將支持金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)、IGCT、IGBT、超快恢復(fù)二極管(FRD)等量大面廣的新型電力電子芯片和器件的產(chǎn)業(yè)化。

據(jù)悉，發(fā)改委將組織實施新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專項，鼓勵符合條件的企業(yè)申請補(bǔ)貼資金支持。

補(bǔ)貼資金主要用于項目的研究、購置研究及工程化所需的儀器設(shè)備、改善工藝設(shè)備和測試條件、產(chǎn)業(yè)化或工程化驗證成套裝置和試驗裝置、必要的配套基礎(chǔ)設(shè)施、購置必要的技術(shù)、軟件等。

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